Экология. Рациональное природопользование и безопасность жизнедеятельности. Часть 2
Очень перспективное направление этих техноло-
гий — это поиск полезных ископаемых и др., кроме того, разраба-
тываются средства защиты от различного рода опасных излучении.
Непонятно, почему это активно не используется.
Таким образом, согласно теории торсионных полей, каЖДЫ
атом обладает спином и соответствующим полем, молекулы сосХ°
ят из атомов и соответственно создают свое характеристичесК
поле и т. д. А.Е. Акимов, объясняя природу этих полей, говор1*
что в зависимости от направления вращения существуют пра
торсионные и левоторсионные поля. Как показали исследовай ^
правоторсионные поля, в некотором обобщенном смысле, no;I^f
ны для человека; они улучшают текучесть всех сред, увеличив
проводимость клеточных мембран. При увеличении теку42
78 . . ¦ . ¦ ¦ ,
.ельшается вероятность возникновения бляшек в крови, проис-
У Д0Т общее улучшение обменных процессов, улучшается гомео-
* а3 в целом и т. д. При этом можно так подобрать частотные ха-
С ^теристики, что они будут воздействовать не на весь организм в
Р дОм, а только на отдельные органы, вызывая терапевтические
<ЬФеКТЬЬ ^ свою очередь левоторсионные поля отрицательно
ллякя на человека. Однако здесь возникает много вопросов. На-
пример, какова связь право- и левоторсионных полей, как их раз-
делить и др.?
Последние утверждения А.Е. Акимова в области физического
ваКуума и торсионных полей указывают, что негативное воздейст-
вие на организм может оказывать торсионная компонента элек-
тромагнитного поля, представляющая собой очень сложную су-
перпозицию право- и левозакрученных торсионных полей, им-
пульсно возникающих при работе электромагнитных устройств,
которую невозможно экранировать традиционными методами,
поскольку это суперпозиция более тонкого, чем электромагнит-
ное, излучения. При этом эти компоненты оказывают комплекс-
ное негативное воздействие на информационно-энергетическую
структуру человека. На основании теории торсионных полей для
защиты человека от различного рода негативных полей разработа-
на серия приборов «Гамма-7», «Нейтрализатор», «Активатор».
Перечисленные приборы ориентированы на тонкие физиче-
ские поля, но они имеют ряд существенных недостатков. Эти при-
боры изначально разрабатывались как локальные средства ней-
трализации негативных излучений и, как говорят сами авторы,
имеют ограниченный радиус действия. Таким образом, из-за огра-
ниченного радиуса действия применение перечисленных уст-
ройств в некоторых случаях недостаточно действенно, поскольку
Практически любой источник негативного излучения имеет объ-
М распространение излучения.
Для локализации такого источника требуется создание объем-
го контура или сети вокруг самого источника. Это может дости-
Ка Ь°Я пУтем расположения на корпусе источника нескольких ло-
jj0 bHbIX устройств. Они должны быть расположены в определен-
5ОЙ ПоРядке близко друг к другу и взаимодействовать между со-
си \' °бразуя спиралеобразную сеть, которая закрывает собой, как
K0Kl BbIM Щитом, источник негативного излучения. Комплекс
св0 °Нент негативного излучения, попадая в такую сеть, меняет
Роцн °РИеНтацию, подчиняясь закону спиралеобразной правосто-
веи силовой системы. Система совместных излучателей может
сти к переориентации совокупной формы излучения (элек-
тромагнитного, торсионного, микролептонного и т. п.), исходя»
щего из конкретного источника излучения.
При определенных параметрах настройки этой сети, как утвер-
ждают авторы, возможны изменения левоторсионного поля на
правоторсионное. В этом случае можно получать положительный
гармонизирующий эффект. Таким образом, происходит локализа-
ция и нейтрализация негативного излучения. По этому принципу
излучения тонких физических полей работает защита для компьюте-
ров (Super Armor). В комплект защиты входят девять устройств-ней-
трализаторов. Каждое устройство является многоуровневой дис-
плетной матрицей, представляющей собой в конечном итоге су-
перпозицию тонких полей. Устройства располагаются по специ-
альной схеме, образуя защитный кокон. Такая схема подобрана
экспериментально и обеспечивает максимальную объемную лока-
лизацию негативного воздействия компьютеров и защиту пользо-
вателей.
Но кроме этого существует еще одно негативное воздействие,
которое влияет на информационно-энергетическую структуру че-
ловека, — это пси-воздействие. Оно связано с перевозбуждением, с
негативной информацией — энергией, получаемой с экранов мо-
ниторов, телевизоров в замкнутом непроявленном (единым про-
странством) контуре. Примером могут служить компьютерные
игры с агрессивной направленностью.
Разрабатываемые устройства нейтрализации должны быть
многоуровневыми, то есть кроме нейтрализации негативной элек-
тромагнитной составляющей, если она действительно имеет
место, они должны предусматривать и значительное ослабление
поля пси-воздействия. Однако решения этой проблемы пока нет.
§ 2.4. ЭФФЕКТ ИОННОЙ НАСЛЕДСТВЕННОСТИ
В ОБЪЕКТАХ НЕЖИВОЙ ПРИРОДЫ
Ионная наследственность в неорганических соединениях мо-
жет проявляться тогда, когда у конкретного компонента соедине-
ния есть определенная степень свободы. Такая ситуация возмож-
на, если перенасытить данную неорганическую структуру соответ-
ствующей составляющей соединения. Этот эффект проще всего
исследовать на щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК). Сразу ого-
воримся, что для биообъектов имеет смысл только идеология ана-
лизируемых позиций, а никак не количественные характеристики
рассматриваемых процессов. Автор оставляет право за читателей
80
<по>
Возбужденные
состояния
\")¦-¦\'.
A11)
[100]
[ПО]
\'RA
Рис. 2.5. Структура основных электронных (а) и дырочных (б) центров
окраски в ЩГК (на примере LiF и КС1)
^траполировать изложенные ниже факты проявления наследст-
еНности на биопроцессы.
В дальнейшем речь будет идти об изменении состояния раз-
чНых электронно-вакансионных (или дырочно-вакансионных)
Фектов (центров окраски), вызывающих ЭМ-поглощение в
новолновой области спектра оптического поглощения, по
5023 ¦, • ¦ 81
Длин
6
сравнению с областью собственного поглощения. Структура такиу
дефектов представлена на рис. 2.5. Изменение состояния центров
окраски легко контролируется и является хорошим индикаторов,
структурных изменений.
В ряде ЩГК в области температур 300—600 К наблюдают^
явно выраженные немонотонные изменения структурно-чувстви-
тельных характеристик (внутреннего трения, светорассеяния, рас-
сеяния рентгеновских лучей, электропроводности, параметра крц.
сталлической решетки), обусловленные перестройкой точечных де-
фектов в области кристалла с ослабленной ионной связью. Совпа-
дение температур, на которые приходятся экстремумы немоно-
тонных изменений структурно-чувствительных характеристик в
литиевых, натриевых и калиевых ЩГК, с температурами, при ко-
торых происходят скачки разности энтальпий для соответствую-
щего расплавленного и твердого щелочного металла (ЩМ), позво-
ляет полагать, что первопричиной немонотонности является из-
менение состояния матричных катионов в дефектных местах ре-
шетки.
С другой стороны, в области низких температур G0—300 К) в
ЩГК происходит смена механизмов изменения некоторых струк-
турно-чувствительных характеристик, коррелирующих с измене-
нием состояния аниона. Например, на температурной зависимо-
сти коэффициента линейного расширения ос G) хлоридов, броми-
дов и йодидов ЩМ наблюдается перелом при собственной темпе-
ратуре плавления соответствующего аниона. Во фторидах ЩМ
излома нет на зависимости <х( 7) при температуре плавления фто-
ра, однако имеется излом при температуре плавления сопутствую-
щего комплекса HOF. Этот комплекс, как правило, встраивается в
матрицу во время роста кристалла в результате появления продук-
тов диссоциации кристаллизационной воды. Формирование ком-
плексной встройки определяет малый ионный радиус фтора.
Ионная наследственность в ЩГК имеет место уже при нали-
чии встроек, объединяющих катионную или анионную подрешет-
ку с вакантными ассоциатами. Наиболее ярко наследственность
проявляется в кристаллах с избытком неколлоидных центров ок-
раски. В этом случае образуются собственные области соответст-
вующей подрешетки, например в случае катионной наследствен-
ности — псевдометаллические гетерогенные встройки искажен\'
ной объемно центрированной кубической (ОЦК) решетки. В та\'
ких областях ЩГК происхомят характерные фазовые превращения»
порождающие вторичные процессы, определяющие свойства этй>
кристаллов.
гий — это поиск полезных ископаемых и др., кроме того, разраба-
тываются средства защиты от различного рода опасных излучении.
Непонятно, почему это активно не используется.
Таким образом, согласно теории торсионных полей, каЖДЫ
атом обладает спином и соответствующим полем, молекулы сосХ°
ят из атомов и соответственно создают свое характеристичесК
поле и т. д. А.Е. Акимов, объясняя природу этих полей, говор1*
что в зависимости от направления вращения существуют пра
торсионные и левоторсионные поля. Как показали исследовай ^
правоторсионные поля, в некотором обобщенном смысле, no;I^f
ны для человека; они улучшают текучесть всех сред, увеличив
проводимость клеточных мембран. При увеличении теку42
78 . . ¦ . ¦ ¦ ,
.ельшается вероятность возникновения бляшек в крови, проис-
У Д0Т общее улучшение обменных процессов, улучшается гомео-
* а3 в целом и т. д. При этом можно так подобрать частотные ха-
С ^теристики, что они будут воздействовать не на весь организм в
Р дОм, а только на отдельные органы, вызывая терапевтические
<ЬФеКТЬЬ ^ свою очередь левоторсионные поля отрицательно
ллякя на человека. Однако здесь возникает много вопросов. На-
пример, какова связь право- и левоторсионных полей, как их раз-
делить и др.?
Последние утверждения А.Е. Акимова в области физического
ваКуума и торсионных полей указывают, что негативное воздейст-
вие на организм может оказывать торсионная компонента элек-
тромагнитного поля, представляющая собой очень сложную су-
перпозицию право- и левозакрученных торсионных полей, им-
пульсно возникающих при работе электромагнитных устройств,
которую невозможно экранировать традиционными методами,
поскольку это суперпозиция более тонкого, чем электромагнит-
ное, излучения. При этом эти компоненты оказывают комплекс-
ное негативное воздействие на информационно-энергетическую
структуру человека. На основании теории торсионных полей для
защиты человека от различного рода негативных полей разработа-
на серия приборов «Гамма-7», «Нейтрализатор», «Активатор».
Перечисленные приборы ориентированы на тонкие физиче-
ские поля, но они имеют ряд существенных недостатков. Эти при-
боры изначально разрабатывались как локальные средства ней-
трализации негативных излучений и, как говорят сами авторы,
имеют ограниченный радиус действия. Таким образом, из-за огра-
ниченного радиуса действия применение перечисленных уст-
ройств в некоторых случаях недостаточно действенно, поскольку
Практически любой источник негативного излучения имеет объ-
М распространение излучения.
Для локализации такого источника требуется создание объем-
го контура или сети вокруг самого источника. Это может дости-
Ка Ь°Я пУтем расположения на корпусе источника нескольких ло-
jj0 bHbIX устройств. Они должны быть расположены в определен-
5ОЙ ПоРядке близко друг к другу и взаимодействовать между со-
си \' °бразуя спиралеобразную сеть, которая закрывает собой, как
K0Kl BbIM Щитом, источник негативного излучения. Комплекс
св0 °Нент негативного излучения, попадая в такую сеть, меняет
Роцн °РИеНтацию, подчиняясь закону спиралеобразной правосто-
веи силовой системы. Система совместных излучателей может
сти к переориентации совокупной формы излучения (элек-
тромагнитного, торсионного, микролептонного и т. п.), исходя»
щего из конкретного источника излучения.
При определенных параметрах настройки этой сети, как утвер-
ждают авторы, возможны изменения левоторсионного поля на
правоторсионное. В этом случае можно получать положительный
гармонизирующий эффект. Таким образом, происходит локализа-
ция и нейтрализация негативного излучения. По этому принципу
излучения тонких физических полей работает защита для компьюте-
ров (Super Armor). В комплект защиты входят девять устройств-ней-
трализаторов. Каждое устройство является многоуровневой дис-
плетной матрицей, представляющей собой в конечном итоге су-
перпозицию тонких полей. Устройства располагаются по специ-
альной схеме, образуя защитный кокон. Такая схема подобрана
экспериментально и обеспечивает максимальную объемную лока-
лизацию негативного воздействия компьютеров и защиту пользо-
вателей.
Но кроме этого существует еще одно негативное воздействие,
которое влияет на информационно-энергетическую структуру че-
ловека, — это пси-воздействие. Оно связано с перевозбуждением, с
негативной информацией — энергией, получаемой с экранов мо-
ниторов, телевизоров в замкнутом непроявленном (единым про-
странством) контуре. Примером могут служить компьютерные
игры с агрессивной направленностью.
Разрабатываемые устройства нейтрализации должны быть
многоуровневыми, то есть кроме нейтрализации негативной элек-
тромагнитной составляющей, если она действительно имеет
место, они должны предусматривать и значительное ослабление
поля пси-воздействия. Однако решения этой проблемы пока нет.
§ 2.4. ЭФФЕКТ ИОННОЙ НАСЛЕДСТВЕННОСТИ
В ОБЪЕКТАХ НЕЖИВОЙ ПРИРОДЫ
Ионная наследственность в неорганических соединениях мо-
жет проявляться тогда, когда у конкретного компонента соедине-
ния есть определенная степень свободы. Такая ситуация возмож-
на, если перенасытить данную неорганическую структуру соответ-
ствующей составляющей соединения. Этот эффект проще всего
исследовать на щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК). Сразу ого-
воримся, что для биообъектов имеет смысл только идеология ана-
лизируемых позиций, а никак не количественные характеристики
рассматриваемых процессов. Автор оставляет право за читателей
80
<по>
Возбужденные
состояния
\")¦-¦\'.
A11)
[100]
[ПО]
\'RA
Рис. 2.5. Структура основных электронных (а) и дырочных (б) центров
окраски в ЩГК (на примере LiF и КС1)
^траполировать изложенные ниже факты проявления наследст-
еНности на биопроцессы.
В дальнейшем речь будет идти об изменении состояния раз-
чНых электронно-вакансионных (или дырочно-вакансионных)
Фектов (центров окраски), вызывающих ЭМ-поглощение в
новолновой области спектра оптического поглощения, по
5023 ¦, • ¦ 81
Длин
6
сравнению с областью собственного поглощения. Структура такиу
дефектов представлена на рис. 2.5. Изменение состояния центров
окраски легко контролируется и является хорошим индикаторов,
структурных изменений.
В ряде ЩГК в области температур 300—600 К наблюдают^
явно выраженные немонотонные изменения структурно-чувстви-
тельных характеристик (внутреннего трения, светорассеяния, рас-
сеяния рентгеновских лучей, электропроводности, параметра крц.
сталлической решетки), обусловленные перестройкой точечных де-
фектов в области кристалла с ослабленной ионной связью. Совпа-
дение температур, на которые приходятся экстремумы немоно-
тонных изменений структурно-чувствительных характеристик в
литиевых, натриевых и калиевых ЩГК, с температурами, при ко-
торых происходят скачки разности энтальпий для соответствую-
щего расплавленного и твердого щелочного металла (ЩМ), позво-
ляет полагать, что первопричиной немонотонности является из-
менение состояния матричных катионов в дефектных местах ре-
шетки.
С другой стороны, в области низких температур G0—300 К) в
ЩГК происходит смена механизмов изменения некоторых струк-
турно-чувствительных характеристик, коррелирующих с измене-
нием состояния аниона. Например, на температурной зависимо-
сти коэффициента линейного расширения ос G) хлоридов, броми-
дов и йодидов ЩМ наблюдается перелом при собственной темпе-
ратуре плавления соответствующего аниона. Во фторидах ЩМ
излома нет на зависимости <х( 7) при температуре плавления фто-
ра, однако имеется излом при температуре плавления сопутствую-
щего комплекса HOF. Этот комплекс, как правило, встраивается в
матрицу во время роста кристалла в результате появления продук-
тов диссоциации кристаллизационной воды. Формирование ком-
плексной встройки определяет малый ионный радиус фтора.
Ионная наследственность в ЩГК имеет место уже при нали-
чии встроек, объединяющих катионную или анионную подрешет-
ку с вакантными ассоциатами. Наиболее ярко наследственность
проявляется в кристаллах с избытком неколлоидных центров ок-
раски. В этом случае образуются собственные области соответст-
вующей подрешетки, например в случае катионной наследствен-
ности — псевдометаллические гетерогенные встройки искажен\'
ной объемно центрированной кубической (ОЦК) решетки. В та\'
ких областях ЩГК происхомят характерные фазовые превращения»
порождающие вторичные процессы, определяющие свойства этй>
кристаллов.